TOF SIMS_ How does it work_-飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)原理

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  • IONTOF-CHINA:TOF-SIMS只需要一次轰击就能得到研究点的成分全谱(含H、He和同位素信息),与其他类型的二次离子质谱相比,具有高传输、高质量分辨率(> 17,000 (FWHM),29 u处;> 18,000 (FWHM),PET,104 u处;> 26,000 (FWHM),> 200 u处)、高质量精度(小于10 ppm)的基本优势,可轻松实现精准峰鉴定。此外结合扫描和溅射功能,还能得到成分全谱中任何一种成分的深度分布、二维和三维分布,并支持回溯分析。 与XPS等表面分析手段相比,TOF-SIMS技术能够以准无损的静态SIMS方式在样品原始表面上同时得到无机元素和有机分子信息,并具有更优异的空间分辨率(深度分辨优于1 nm,横向分辨优于50 nm,景深高达400 μm),更浅表的信息深度(信号采集仅来自样品表面1-3个原子层,信息深度<1 nm),更灵敏的检测能力(更高的检出限,探测限可达ppm~ppb量级),更完整精细的物质鉴定范围(> 12,000 u)。 因此,即使对于同时兼具痕量、微区、超浅层特征的复杂成分未知样品的表面分析任务,TOF-SIMS亦能提供技术支持。

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